Com a expansão da infraestrutura de IA atingindo seu pico este ano, já relatamos o aumento gigantesco na demanda por DRAM e, consequentemente, o aumento nos preços. Como resultado, empresas como a Micron decidiram encerrar a linha Crucial.
Mais importante, dado que os fornecedores de memória são limitados em todo o mundo, o gargalo na cadeia de suprimentos é imenso no momento. E isso ressalta a necessidade de novos concorrentes para o mercado.
Nesse contexto, a Intel estaria adotando uma nova abordagem no negócio de memória. Alega-se que a empresa fará uma parceria com a Saimemory, do SoftBank, para desenvolver um novo padrão chamado Z-Angle Memory (ZAM).
O argumento é que as arquiteturas de memória padrão não atendem às necessidades da www.adrenaline.com.br/ia/. Assim, conforme executivos da Intel, o NGDB (Next Generation DRAM Bonding) “define uma abordagem completamente nova que acelerará nossa entrada na próxima década”.
Esta não é a primeira vez que a Intel investe no segmento de DRAM, com o time azul tendo um negócio dedicado a isso, mas saindo em 1985 devido à queda na participação de mercado após a concorrência de fornecedores japoneses.
Porém, agora que há uma uma oportunidade tão significativa para as empresas, será interessante ver se o ZAM da Intel conseguirá causar impacto. Uma maneira eficaz de fazer isso é convencendo líderes como a NVIDIA a integrar a tecnologia. E as duas empresas já possuem parcerias que podem intensificar.
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Processo em andamento
Há relatos de que os esforços para desenvolver a tecnologia de memória ZAM começaram no âmbito do programa Advanced Memory Technology (AMT), iniciado pelo Departamento de Energia dos EUA (DoE). Foi durante esse programa que a Intel apresentou sua tecnologia de interconexão de DRAM de “próxima geração”.
Com base no que se sabe sobre a tecnologia de interconexão de DRAM da Intel, a ZAM provavelmente apresentará uma topologia de interconexão escalonada, roteando as conexões diagonalmente dentro da pilha de chips, em vez de diretamente para baixo.
Com a abordagem “Z-Angle”, a Intel utilizará uma porção significativa da área de silício para células de memória, permitindo densidades mais altas e menor resistência térmica.
E, considerando a possível tecnologia de ligação da DRAM, pode-se esperar que a ZAM utilize uma ligação híbrida cobre-cobre, que possibilita uma fusão intercamadas mais eficiente e cria um bloco de silício “monolítico” em vez de camadas separadas.
Além disso, como se diz que a ZAM terá um design sem capacitores, a tecnologia EMIB da Intel deverá ser usada para conectar a memória ao chip de IA.
Outras vantagens
A colaboração da SoftBank com a Intel na ZAM permite que ela também seja proprietária da pilha de memória, que poderá estrear com os ASICs personalizados da empresa, como a linha Izanagi, dando à empresa maior controle sobre o layout arquitetônico.
Embora os números sobre os ganhos efetivos da ZAM em comparação com a HBM ainda não sejam específicos, a abordagem Z-Angle proporciona à memória melhor eficiência energética e densidades mais altas, possibilitando, em última análise, o empilhamento de camadas mais altas. Eis como o HBM versus ZAM pode se desenrolar:
- Consumo de energia 40-50% menor
- Fabricação simplificada por meio de interconexões em ângulo Z
- Maior capacidade de armazenamento por chip, alcançando até 512 GB)
Fonte: Intel.
